이달 2일 파운드리 사업부 인력 대상 수시 잡포스팅 공지
메모리제조기술센터 등 HBM 사업에 집중

삼성전자 DS(반도체)부문이 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 제조 인력 일부를 메모리제조기술센터 등으로 전환 배치한다. 6세대 HBM(HBM4) 등 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산 역량을 제고하기 위한 조치다. HBM4부터는 HBM의 두뇌를 담당하는 ‘로직 다이’에 파운드리 공정이 적용된다.

7일 업계에 따르면, 삼성전자 DS부문은 지난 2일 파운드리 사업부의 공정과 설비, 제조 분야 인력 등을 대상으로 ‘수시 잡포스팅’ 공지를 냈다. 메모리제조기술센터와 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라 총괄에 분야별로 두 자릿수 이상의 파운드리 사업부 인력을 전환 배치한다.

이번 파운드리 사업부 인력 전환 배치는 HBM 사업 경쟁력 강화에 집중됐다. 메모리제조기술센터는 ‘차세대 HBM 시장 선점을 위한 경쟁력 강화’, 반도체연구소는 ‘HBM 및 패키지 기술 리더십 강화를 위한 연구-개발’, 글로벌 제조&인프라총괄은 ‘HBM 및 신제품 계측·분석·설비 기술력 강화’를 위해 인력을 충원한다고 공지했다.

삼성전자 사정에 정통한 관계자는 “삼성전자가 ‘HBM 및 차세대 D램 등 메모리 신제품 생산 대응을 위한 긴급 충원’이라는 제목의 메일을 통해 잡포스팅을 실시한다고 파운드리 사업부 인력들에게 알렸다”며 “HBM4 등 차세대 제품 생산에 한층 속도를 높일 것으로 예상된다”고 설명했다.

삼성전자 평택 반도체 공장. /삼성전자

이번 전환 배치는 경쟁사인 SK하이닉스에 주도권을 내준 HBM 시장에서 경쟁력을 강화하기 위한 조치라는 분석이 나온다. HBM 시장의 큰손인 엔비디아에 HBM3E(5세대 HBM) 제품을 공급하고 있는 SK하이닉스, 마이크론과 달리 삼성전자는 아직까지 HBM3E 품질 테스트를 통과하지 못하고 있다. 이에 삼성전자는 차세대 HBM 시장의 격전지로 떠오른 HBM4 품질 경쟁력 제고에 사활을 걸고 있다. HBM4부터는 HBM 최하단에 탑재되는 로직 다이에 파운드리 공정이 적용된다. 이를 통해 고객사가 요청하는 설계 자산(IP)과 응용처에 최적화된 맞춤형 HBM을 제작할 수 있다.

전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)은 지난달 19일 열린 삼성전자의 2025년 정기주주총회에서 “HBM 공급량을 지난해 대비 크게 늘려 HBM 시장에서의 입지를 더욱 강화하겠다”며 “HBM4 시장에서는 HBM3E와 같은 과오를 되풀이하지 않기 위해 하반기를 목표로 차질 없이 개발해 양산하겠다”고 밝힌 바 있다.

반도체업계 관계자는 “빅테크 물량 수주에 어려움을 겪으면서 삼성전자 파운드리 공정 가동률이 낮아져, 인력을 전환 배치할 수 있는 여력이 생긴 것은 사실”이라면서도 “TSMC와의 격차가 계속 벌어지는 가운데 파운드리 사업 경쟁력이 위축될 것이란 우려가 내부에서 제기되고 있다”고 했다.

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