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[실시간뉴스][단독]삼성 반도체 ‘초격차의 시간 왔다’···차세대 D램 연내 양산

온카뱅크관리자

2024-04-03 17:18:30

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">■삼성 반도체, 초격차 시간 왔다
         
          <br>'멤콘 2024'에서 양산 로드맵 밝혀
          <br>고도화한 EUV 기술 확대 적용할 듯
          <br>2027년 이후 한자릿수 ㎚대 D램 계획 공개도
          <br>회복세 맞춰 범용 D램 최강 자리 사수 나설 듯
         상&gt;</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="YR3hG9zTlQ">
          <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="0g9UhUtsTj" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="삼성전자가 지난해 양산한 10㎚급 5세대 D램. 사진제공=삼성전자" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202404/03/seouleconomy/20240403170552892igsy.png" data-org-width="640" dmcf-mid="39Q9G9zTSA" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202404/03/seouleconomy/20240403170552892igsy.png" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            삼성전자가 지난해 양산한 10㎚급 5세대 D램. 사진제공=삼성전자
           </figcaption>
          </figure>
          <div dmcf-pid="HLzWt62XC6" dmcf-ptype="general">
            [서울경제] 
           <p>삼성전자가 올해 말에 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램을 양산한다. 삼성은 올해 초부터 회복세를 띠고 있는 D램 시장에서 ‘초격차’ 제조 기술을 경쟁 회사보다 먼저 적용해 리더십을 이어가는 전략을 펼칠 것으로 예상된다.</p>
          </div>
          <p dmcf-pid="XiuT54KGT8" dmcf-ptype="general">3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘 2024’ 연설을 통해 연말에 이 D램을 양산하겠다고 밝혔다. 10나노급 6세대 제품에 대한 구체적인 양산 계획을 공개한 회사는 삼성전자가 처음이다.</p>
          <p dmcf-pid="Zn7y189HC4" dmcf-ptype="general">삼성전자가 이 제품을 계획대로 양산한다면 현재까지 가장 최신 제품인 10㎚급 5세대 제품이 만들어진 지 1년 만에 차세대 메모리 칩을 출시하는 셈이다. 이 제품의 가장 큰 특징은 더 고도화된 극자외선(EUV) 기술로 초미세 회로를 제작하는 것이다. 삼성전자는 2020년에 10나노급 1세대 D램에 업계 처음으로 EUV 장비를 도입한 후 4세대·5세대 제품에서 D램을 구성하는 5층(레이어)에 EUV를 적용했다.</p>
          <p dmcf-pid="5LzWt62XSf" dmcf-ptype="general">EUV를 활용하면 동일한 칩 면적에도 기억 소자를 더욱 정밀하게 배치할 수 있어 기존보다 용량이 큰 제품을 보다 수월하게 만들 수 있다. 이번 신제품에는 6~8개의 초미세 회로층에 개선된 EUV 기술을 활용할 예정이다.</p>
          <p dmcf-pid="1j9ZUR6FlV" dmcf-ptype="general">삼성전자는 멤콘 2024에서 10나노급 6세대 이후의 제품 로드맵도 공개했다. 차세대 제품인 10나노급 7세대 제품은 2026년쯤 양산한다는 계획을 세웠다. 이 제품에는 D램 속 9개 층에 EUV를 도입할 것으로 알려졌다. 2027년 이후에는 10나노대를 넘어 한 자릿수대 나노 공정을 통한 D램 생산에도 도전한다. 미래 EUV 기술로 주목받는 하이(High)-NA EUV 공정 도입에 대한 가능성도 시사했다.</p>
          <div dmcf-pid="tA25ueP3l2" dmcf-ptype="general">
           <p>삼성전자는 올해 반도체 수요가 회복되는 현상을 보고 기술 개발에 공을 들이고 있다. 삼성전자는 전체 시장에서 80~90%를 차지하는 서버·스마트폰·전자기기용 범용 D램 시장에서 압도적인 점유율을 차지한 회사다. 선단 기술 개발과 함께 방대한 생산 능력과 공정 효율을 앞세워 다가올 D램 슈퍼 사이클에서 우위를 점하겠다는 포부로 읽힌다.</p> 강해령 기자 hr@sedaily.com실리콘밸리=윤민혁 특파원 beherenow@sedaily.com
          </div>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 서울경제. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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