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[IT뉴스]삼성전자, P5 본공사 돌입···계획 대비 6개월 당기며 ‘잰걸음’

온카뱅크관리자

2026-08-07 15:57:30

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 평택 P5 페이즈1 클린룸 수장공사 및 주요 설비 반입 본격화 페이즈2~4 더불어 ‘팹 트윈’으로 구축되는 P5 팹2 공사도 속도 평택 대규모 생산단지 조기 구축 ‘총력’···차세대 HBM용 D램 대응 
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 삼성전자 평택캠퍼스 전경 / 사진=삼성전자
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 [시사저널e=고명훈 기자] 삼성전자가 지난달 평택5공장(P5) 본공사에 착수했다. 페이즈1(1단계) 건물의 외형 구축은 이미 완료된 상태이며 내장 인프라 구축에 본격 돌입한 것으로 전해진다. 이는 당초 계획 대비 6개월가량 앞당긴 일정이다.
 이와 함께 기존에 6공장으로 불렸던 P5 팹2 공장의 본공사도 머지않아 개시할 것으로 예상된다. 삼성전자는 P5 팹2를 P5와 독립된 별개 건물이 아닌, 가로 길이를 확장해 연계한 '팹 트윈' 구조로 설계했다. 현재 외곽 골조 공사부터 시작한 것으로 전해진다.
 삼성전자는 P5와 P5 팹2 건설을 동시에 추진해 평택 대규모 첨단 D램 생산단지를 조기 완성하겠단 계획이다.
 7일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 지난달 P5 페이즈1 본공사에 들어가면서 클린룸 관련 설비 반입을 본격화했다. 지난달 15일엔 국내 반도체 클린룸 설비 협력업체인 신성이엔지와 클린룸 제품 납품 계약을 체결했다. 156억원 규모로, 계약 기간은 내년 2월 20일까지다.
 신성이엔지는 공기정화 장치인 팬필터유닛(FFU)과, 생산 장비 내부에 부착돼 미세 파티클(이물질)을 제어하는 장비필터유닛(EFU) 등 클린룸 설비를 주력 사업으로 하고 있다. 최근엔 파티클 필터링과 제습 기능을 하나의 모듈에 통합한 장비용 제습 모듈(EDM)을 자체 개발하고, 장비 기업을 통해 삼성전자에 공급을 추진 중인 것으로 전해진다.
 신성이엔지는 반도체 클린룸 사업을 담당하는 클린환경(ENG) 사업부문에서 올 2분기 1888억원의 매출을 기록하며 최근 5년 내 가장 높은 분기 매출을 달성했다. 영업이익에서도 반도체 고객사향 수주 확대에 힘입어 흑자전환에 성공했다. 수주잔고는 6월말 기준 3926억원으로, 신규 수주만 지난 1분기 1824억원에서 2분기 2535억원으로 39% 큰 폭으로 증가했다.
 신성이엔지 관계자는 "2분기는 반도체향 수주 확대가 실적 개선을 견인했고, 이월 프로젝트의 정산이 마무리되며 원가 부담이 완화된 점 등이 작용했다"며, "상반기 국내 주요 프로젝트의 경우 삼성전자 평택을 중심으로, SK하이닉스 청주·용인에서도 모두 진행 중이며 삼성전자는 향후 P5에서 수주가 지속 확대될 것으로 예상된다. 하반기에도 삼성전자 관련해서 진행되는 평택 사이트에서 주로 나올 것으로 보인다"고 설명했다.
 그러면서 "반도체 산업에서 안정적인 수익이 발생하고 있어서 올해 3~4분기로 가면서 수익성 회복을 어느 정도 달성해나갈 것으로 보고 있다"며, "올해와 내년, 내후년에는 메가 프로젝트와 해외 반도체 관련 사업에 따라 우리 이익률도 개선될 것"이라고 부연했다.
 앞서 지난달 14일에는 반도체 클린룸 시공과 수장 등을 전문으로 하는 엑사이엔씨가 삼성전자 평택 반도체 생산시설 건축공사의 주요 시공사인 삼성물산과 P5 페이즈1 수장공사 1공구 계약을 체결하고 공사에 들어갔다. 수장공사는 건축물의 바닥과 벽, 천장 등을 마감재로 꾸미는 최종 마무리 공사로, 실질적인 인테리어 마감 작업을 말한다.
 이번 계약은 약 890억원 규모로, 엑사이엔씨의 지난해 연간 매출액 절반을 넘어서는 수준이다. 계약 기간은 내년 10월까지다. 향후 P5 페이즈 2~4를 비롯해 P5와 연계되는 P5 팹2 등 후속 공사에서도 수주 확대해 나설 계획이다.
 삼성전자는 공장의 주요 생산 품목이나 기능에 따라 내부 공간을 단계별로 나누고 있다. P5는 클린룸 6개에 3층 규모로, 2층 구조의 4개 클린룸이 들어서는 P4 대비 약 1.5배 더 넓은 공간으로 조성된다. 이에 따라 추가 수장공사 수주와 주요 클린룸 설비 반입도 지속 확대될 것으로 전망된다.
 아울러, P5 팹2 또한 골조 공사를 마치고 본공사에 돌입할 예정이다. P5와 P5 팹2 두개 공장의 전체 생산능력(캐파)은 기존 P1~P4 4개 공장을 합한 수준에 이를 것으로 예상된다.
 삼성전자는 P5와 P5 팹2를 각각 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 선단 D램 생산라인으로 구축한단 방침이다. 삼성전자는 HBM4(6세대)부터 코어다이 제작에 10나노급 6세대(1c) D램을 도입하기 시작했으며, 내년 양산을 목표로 하는 HBM4E(7세대)에도 1c D램을 유지할 계획이다.
 HBM5E(9세대)부턴 한층 더 미세화된 10나노급 7세대(1d) D램을 본격 활용할 것으로 전망된다. 이에 따라 해당 공정으로 전환 투자가 진행될 가능성도 점쳐진다.
 삼성전자는 당초 P5와 P5 팹2를 2028~2029년 순차 건설 예정이었지만, 최근 정부 요청에 따라 동시 건설 방식으로 바꾸고 평택 첨단 D램 단지 건설에 속도를 내고 있다. 아울러, 용인 국가산업단지에 구축 중인 공장 6기 또한 일정을 앞당겨 기존 2047년 완공에서 2040년으로 7년 단축한단 목표다.
 김재준 삼성전자 메모리전략마케팅실장 부사장은 최근 실적 컨퍼런스콜에서 "업계가 시설투자를 확대하더라도 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 3년 반이 넘는 긴 리드타임이 필요하다. 증설을 통한 공급 확대에는 상당한 시간이 소요되기 때문에 2028년까지 큰 폭의 공급 증가를 기대하기는 어렵다"며, "현재 다년 공급계약으로 중장기 수요 가시성이 확보되고 투자를 탄력적으로 진행할 수 있는 여건이 조성됐다. 우리는 선제적인 인프라 투자로 클린룸을 확보하고, 수요 변화에 맞춰 설비를 탄력적으로 도입하는 기존의 공급 운영 기조를 더욱 공고히 적용해나갈 것"이라고 말했다.
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