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[IT뉴스]P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

온카뱅크관리자

2024-11-07 15:09:35

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">'하이브리드' 운용 의미…1a·1b 생산량 확대 가속화</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="FFyNeMTNUP">
          <p dmcf-pid="3R2HhI9HU6" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다.</p>
          <p dmcf-pid="0FyNeMTNz8" dmcf-ptype="general">7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="paMpHYxp34" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="삼성전자 평택캠퍼스 조감도(사진=삼성전자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202411/07/ZDNetKorea/20241107150937439gxxv.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="tmJz1ZdzFQ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202411/07/ZDNetKorea/20241107150937439gxxv.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            삼성전자 평택캠퍼스 조감도(사진=삼성전자)
           </figcaption>
          </figure>
          <p dmcf-pid="UAd75Xe7uf" dmcf-ptype="general">F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="ukiqt5JqUV" dmcf-ptype="general">사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다.</p>
          <p dmcf-pid="747SwEuSp2" dmcf-ptype="general">구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. </p>
          <p dmcf-pid="zxKYIsbYu9" dmcf-ptype="general">추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시장</p>
          <p dmcf-pid="qbFsjatsuK" dmcf-ptype="general">D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다.</p>
          <p dmcf-pid="B6qTmwzT3b" dmcf-ptype="general">이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다.</p>
          <p dmcf-pid="bM9GCOKG0B" dmcf-ptype="general">또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.</p>
          <p dmcf-pid="Kkiqt5Jquq" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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