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[IT뉴스]삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

온카뱅크관리자

2024-07-16 15:41:44

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">유창식 D램 선행개발 팀장 부사장, 차세대 D램 로드맵 자신감 드러내</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="ZUId27LKU9">
          <p dmcf-pid="5IeUYhqy3K" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다."</p>
          <p dmcf-pid="18ZEJPmeFb" dmcf-ptype="general">유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="tE85hw3I3B" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="유창식 삼성전자 부사장(사진=장경윤 기자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202407/16/ZDNetKorea/20240716154146477hyhh.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="XefXIEtsp2" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202407/16/ZDNetKorea/20240716154146477hyhh.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            유창식 삼성전자 부사장(사진=장경윤 기자)
           </figcaption>
          </figure>
          <p dmcf-pid="FIeUYhqy7q" dmcf-ptype="general">이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다.</p>
          <p dmcf-pid="3LqvEgYcFz" dmcf-ptype="general">D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다.</p>
          <p dmcf-pid="03mMbpJqp7" dmcf-ptype="general">다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다.</p>
          <p dmcf-pid="pN9YmAZwuu" dmcf-ptype="general">이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다.</p>
          <p dmcf-pid="UCwQq3e7pU" dmcf-ptype="general">현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="usk8u1xpFp" dmcf-ptype="general">이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="7hrxB0dzF0" dmcf-ptype="general">특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다.</p>
          <p dmcf-pid="z3Xkd6rRz3" dmcf-ptype="general">유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.</p>
          <p dmcf-pid="qU1wnxOJUF" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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