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[실시간뉴스]삼성·SK, HBM용 웨이퍼 공정 기술 바꾼다...'레이저 탈착' 도입 추진

온카뱅크관리자

2024-07-08 16:55:07

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        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="qoxEVmVZ4V">
          <p dmcf-pid="B75Vy6yj82" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 웨이퍼 공정 기술 전환에 나섰다. 웨이퍼 휨을 방지하기 위한 신기술 도입이 골자로, 차세대 HBM을 겨냥한 것으로 풀이된다. 공정 전환에 따른 소재 및 장비 공급망 변화도 예상된다.</p>
          <p dmcf-pid="bK0PXRXDP9" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스는 최근 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행하는 것으로 확인됐다. 웨이퍼 디본딩은 공정 중 얇아진 웨이퍼를 휘지 않게 부착한 임시 웨이퍼(글래스 소재 캐리어 웨이퍼)를 분리하는 작업이다.</p>
          <p dmcf-pid="KELCMvMU4K" dmcf-ptype="general">웨이퍼 디본딩은 블레이드(칼날)라 불리는 부품을 통해 진행됐다. 반도체가 만들어지는 메인 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 접착제로 붙였다 칼날로 떼어낸다고 해서 메카니컬 디본딩이라고 불린다.</p>
          <p dmcf-pid="9raSdWdz4b" dmcf-ptype="general">HBM 경우 12단·16단처럼 적층 수가 늘면서 웨이퍼가 보다 얇아져 칼날로 분리하는 데 한계에 직면했다. 30마이크로미터(㎛)보다 웨이퍼가 얇아져 훼손이 우려돼서다. 회로를 새기기 위한 식각·연마·배선 등 공정 수가 늘고, 초고온 환경에 따른 새로운 접착제가 필요한 것도 양사가 기존 메카니컬 방식 대신 레이저를 쓰려는 이유다.</p>
          <p dmcf-pid="2XlprzrR4B" dmcf-ptype="general">사안에 정통한 업계 관계자는 “극한 공정 환경에 대응해 보다 강력한 접착제가 필요해졌고, 이를 메카니컬 방식으로는 떼어낼 수 없어 레이저라는 새로운 기술을 도입하려는 것”이라며 “안정적으로 메인 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하려는 시도”라고 설명했다.</p>
          <p dmcf-pid="V75Vy6yjxq" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스는 엑시머 레이저와 자외선(UV) 레이저 등 다양한 방식을 검토하고 있다.<br></p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="fCkYoZo9Qz" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="웨이퍼 서포팅 시스템(WSS) 중 캐리어 웨이퍼 접착(본딩)과 탈착(디본딩) 과정 개념도 (사진=SK하이닉스 뉴스룸)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202407/08/etimesi/20240708163105044hunp.png" data-org-width="700" dmcf-mid="z7lprzrR4f" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202407/08/etimesi/20240708163105044hunp.png" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            웨이퍼 서포팅 시스템(WSS) 중 캐리어 웨이퍼 접착(본딩)과 탈착(디본딩) 과정 개념도 (사진=SK하이닉스 뉴스룸)
           </figcaption>
          </figure>
          <p dmcf-pid="4hEGg5g287" dmcf-ptype="general">레이저 디본딩은 HBM4 16단부터 도입이 유력하다. HBM4는 적층한 D램 메모리 가장 하단에 시스템 반도체 기반 '베이스 다이'가 적용되는데, 보다 미세한 공정과 얇은 웨이퍼가 필요한 만큼 레이저 방식이 적합한 것으로 전해진다.</p>
          <p dmcf-pid="8ys1c0c66u" dmcf-ptype="general">웨이퍼 디본딩 기술 전환은 우선 HBM을 위한 포석이지만, 다른 메모리나 시스템 반도체 공정에서 활용할 수 있는 만큼, 점진적으로 공정 전환이 확대될 가능성도 크다.</p>
          <p dmcf-pid="6vrZjFj4PU" dmcf-ptype="general">레이저 적용 시 관련 소재·장비 공급망 변화도 불가피하다. 기존 메카니컬 방식은 일본 도쿄일렉트론(TEL)과 독일 수스마이크테크가 1·2위업체로 시장 장악하고 있다. 레이저 방식은 보다 많은 장비업체가 진입할 수 있는 상황이라 주도권 쟁탈전에 치열해질 전망이다. 해외 뿐 아니라 국내 기업들도 시장 참전을 대비하고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="PGC3DuDx4p" dmcf-ptype="general">웨이퍼 디본딩 접착제는 미국 3M과 일본 신에츠화학, 닛산화학, TOK 등 이 주로 공급하고 있다. 이들 기업 역시 기존 메카니컬 대신 레이저 방식에 활용할 수 있는 신규 접착 소재를 개발하는 것으로 알려졌다.</p>
          <p dmcf-pid="QoxEVmVZ40" dmcf-ptype="general">또 다른 업계 관계자는 “레이저 디본딩에 대응해 소재·장비 업체가 새로운 기술 및 제품 개발을 위해 성능 평가 등 활발한 협력을 추진 중”이라며 “삼성과 SK가 어떤 소재·장비를 채택하느냐에 따라 공급망에 대대적인 변화가 이뤄질 수 있다”고 말했다.</p>
          <p dmcf-pid="xBF8GxGkP3" dmcf-ptype="general">권동준 기자 djkwon@etnews.com</p>
         </section> 
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        <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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