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[IT뉴스]인텔 “3나노급 ‘인텔3′ 공정 대량양산 본격화…제조 리더십 회복”

온카뱅크관리자

2024-06-21 15:29:58

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">1년만에 전 세대 대비 성능 18%, 집적도 10% 향상</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="G9iUUqrR7l">
          <figure class="figure_frm origin_fig" dmcf-pid="HNlddLFOph" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="팻 겔싱어 인텔 CEO. /인텔 제공" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202406/21/chosunbiz/20240621153000550hpzt.jpg" data-org-width="1648" dmcf-mid="YiD44QWApS" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202406/21/chosunbiz/20240621153000550hpzt.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            팻 겔싱어 인텔 CEO. /인텔 제공
           </figcaption>
          </figure>
          <p dmcf-pid="XwGaaczT0C" dmcf-ptype="general">인텔은 3나노급 미세공정인 ‘인텔3′가 최근 대량 양산에 돌입했다고 밝혔다. 인텔은 “인텔의 반도체 제조 기술력이 정상궤도로 돌아왔다”며 인텔 제품뿐만 아니라 파운드리(위탁생산) 사업에서의 입지가 과거의 입지를 되찾을 것이라는 자신감을 드러냈다.</p>
          <p dmcf-pid="ZeD44QWAzI" dmcf-ptype="general">인텔은 21일 연례 VLSI 심포지엄에서 인텔3 노드가 지난해 말 제조 준비(manufacturing readiness) 단계에 도달한 데 이어 최근 미국 오레곤(Oregon)의 연구개발(R&amp;D) 사이트에서 대량 생산에 도달했다고 밝혔다. 아일랜드 레익슬립(Leixlip) 팹에서도 인텔 제품인 인텔 제온 6(Intel Xeon 6) 서버 프로세서를 포함한 파운드리 고객용 칩을 대량 생산하고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="5fozzKOJFO" dmcf-ptype="general">인텔3 공정은 전체 프로세서 코어에서 동일한 전력으로 최대 18% 더 높은 성능을 제공하며, 유연한 메탈 인터커넥트 옵션 세트와 이전 세대인 인텔4 노드에 비해 최대 10% 더 높은 집적도를 제공한다. 인텔4를 내놓은 지 불과 1년 만에 20%에 가까운 성능 개선에 성공한 것이다.</p>
          <p dmcf-pid="159TTGJqUs" dmcf-ptype="general">앞서 인텔은 팻 겔싱어 CEO의 주도로 반도체 업계 공정 기술 리더십을 되찾겠다고 외치며 지난 2021년 4년간 5개 노드(5N4Y)를 완성한다는 대담한 포부를 밝혔다. 또 파운드리 고객에게 폭넓은 설계, 패키징 및 제조 역량을 제공하도록 회사를 혁신해 업계 전반을 발전시키는 것을 목표로 하고 있다.</p>
          <p dmcf-pid="tLOxxdZwzm" dmcf-ptype="general">인텔 관계자는 “인텔은 지난 2005년 스트레인드 실리콘, 2009년 하이케이(Hi-K) 메탈 게이트, 2011년 핀펫(FinFET) 아키텍처로 트랜지스터를 3차원으로 구현하는 등 수십 년 동안 주요 전환점에서 트랜지스터 기술을 통해 업계를 선도해 왔다”며 “현재 AI 및 슈퍼컴퓨터와 같은 미래를 뒷받침할 새로운 트랜지스터 혁신을 지속적으로 이끌고 있다”고 말했다.</p>
          <p dmcf-pid="FhFDDsVZFr" dmcf-ptype="general">- Copyright ⓒ 조선비즈 &amp; Chosun.com -</p>
         </section> 
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